Просмотр запроса №3931
Здравствуйте! Я пишу диплом на тему "Исследование непараболичности зоны проводимости в сильно легированном GaAs". Подскажите, пожалуйста, литературу по этой теме.Спасибо.
Ответ
[2006-04-12 10:12:52] :
Здравствуйте. К сожалению, представить исчерпывающий список литературы по Вашему запросу в рамках ВСС не представляется возможным, т.к. тема очень специализирована и требуется глубокое разыскание. Предлагаем выборочный список литературы по Вашей теме (источник ЭК РНБ, поисковая система Rambler):
1. Богданова В.А. Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов / В.А.Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, Н.А.Семиколенова, Е.Н. Сидоров // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Т. 36, вып. 4. – С. 407-411 ;
То же [Электронный ресурс] // Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН : [офиц. сайт]. – М., 1997-2000. – URL: www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2002/04/p407-411.pdf (11.04.06).
2. Веригин А. А. Деканалирование ионов гелия в облученных сильноточным пучком электронов кристаллах арсенида галлия : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Веригин А.А. ; Том. политехн. ин-т им. С.М. Кирова. – Томск, 1987. – 19 с. : граф. – Библиогр.: 15 назв. Шифр РНБ: А87/22937.
3. Дерикот Н. З. Механизмы токопрохождения и рекомбинации в
полуизолирующем арсениде галлия в сильных электрических полях : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Дерикот Н.З. ; АН АрмССР, Ин-т радиофизики и электроники. – Аштарак, 1986. – 15 с. Шифр РНБ: 87-50К/5648.
4. Калинин Ю. М. Электрические, термические и тензоэлектрические явления в сильнолегированных р-п-переходах на основе арсенида и антимонида галлия : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Калинин Ю.М. ; Том. гос. ун-т им. В.В. Куйбышева. – Томск, 1988. – 16 с. Шифр РНБ: 88-50К/3882.
5. Основы полупроводниковой электроники : учеб. пособие : [для студентов физ. спец. ун-тов] / Г.П. Яровой, П.В. Тяпухин, В.М. Трещев ; Сам. гос. ун-т. – Самара : Сам. ун-т, 2003. – 155 с. : ил. – Библиогр.: 7 назв. Шифр РНБ: 2004-3/25900.
6. Уткин И. А. Нелинейное поглощение, рефракция и резонторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs и n-InP в области края фундаментального поглощения : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Уткин И.А. ; НАН Белоруси. Ин-т физики им. Б.И. Степанова – Минск, 2004. – 20 с. – Библиогр.: 22 назв. Шифр РНБ: 2004-4/25985.
7. Шамирзаев Т. С. Центры рекомбинации в нелегированном и
сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Шамирзаев Т.С. ; Ин-т физики полупроводников Сиб. Отд-ния РАН. – Новосибирск, 1998. – 17 с. – Библиогр.: 8 назв. Шифр РНБ:А98/19760.
1. Богданова В.А. Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов / В.А.Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, Н.А.Семиколенова, Е.Н. Сидоров // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Т. 36, вып. 4. – С. 407-411 ;
То же [Электронный ресурс] // Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН : [офиц. сайт]. – М., 1997-2000. – URL: www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2002/04/p407-411.pdf (11.04.06).
2. Веригин А. А. Деканалирование ионов гелия в облученных сильноточным пучком электронов кристаллах арсенида галлия : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Веригин А.А. ; Том. политехн. ин-т им. С.М. Кирова. – Томск, 1987. – 19 с. : граф. – Библиогр.: 15 назв. Шифр РНБ: А87/22937.
3. Дерикот Н. З. Механизмы токопрохождения и рекомбинации в
полуизолирующем арсениде галлия в сильных электрических полях : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Дерикот Н.З. ; АН АрмССР, Ин-т радиофизики и электроники. – Аштарак, 1986. – 15 с. Шифр РНБ: 87-50К/5648.
4. Калинин Ю. М. Электрические, термические и тензоэлектрические явления в сильнолегированных р-п-переходах на основе арсенида и антимонида галлия : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Калинин Ю.М. ; Том. гос. ун-т им. В.В. Куйбышева. – Томск, 1988. – 16 с. Шифр РНБ: 88-50К/3882.
5. Основы полупроводниковой электроники : учеб. пособие : [для студентов физ. спец. ун-тов] / Г.П. Яровой, П.В. Тяпухин, В.М. Трещев ; Сам. гос. ун-т. – Самара : Сам. ун-т, 2003. – 155 с. : ил. – Библиогр.: 7 назв. Шифр РНБ: 2004-3/25900.
6. Уткин И. А. Нелинейное поглощение, рефракция и резонторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs и n-InP в области края фундаментального поглощения : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Уткин И.А. ; НАН Белоруси. Ин-т физики им. Б.И. Степанова – Минск, 2004. – 20 с. – Библиогр.: 22 назв. Шифр РНБ: 2004-4/25985.
7. Шамирзаев Т. С. Центры рекомбинации в нелегированном и
сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Шамирзаев Т.С. ; Ин-т физики полупроводников Сиб. Отд-ния РАН. – Новосибирск, 1998. – 17 с. – Библиогр.: 8 назв. Шифр РНБ:А98/19760.